casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP3N50D2
Número de pieza del fabricante | IXTP3N50D2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTP3N50D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTP3N50D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1070pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP3N50D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTP3N50D2-FT |
IXTH200N075T
IXYS
IXTH200N085T
IXYS
IXTH20N60
IXYS
IXTH220N055T
IXYS
IXTH220N075T
IXYS
IXTH230N085T
IXYS
IXTH240N055T
IXYS
IXTH24N50L
IXYS
IXTH250N075T
IXYS
IXTH280N055T
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel