casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP3N50D2
Número de pieza del fabricante | IXTP3N50D2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTP3N50D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTP3N50D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1070pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP3N50D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTP3N50D2-FT |
IXTH200N075T
IXYS
IXTH200N085T
IXYS
IXTH20N60
IXYS
IXTH220N055T
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IXTH220N075T
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A3PE600-1FG256I
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