casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTP2R4N50P
Número de pieza del fabricante | IXTP2R4N50P |
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Número de parte futuro | FT-IXTP2R4N50P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHV™ |
IXTP2R4N50P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 240pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 55W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP2R4N50P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTP2R4N50P-FT |
IXTP120P065T
IXYS
IXTP12N50P
IXYS
IXTP12N65X2
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IXTP130N065T2
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IXTP170N075T2
IXYS
EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel