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IXYS IXTP1R6N100D2

Name: IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTP1R6N100D2
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (385 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTP1R6N100D2

Cantidad disponible: 40140 Piezas

Precio de referencia: USD 1.48

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fabricante: IXYS

Breve descripción: - MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTP1R6N100D2.pdf

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IXTP1R6N100D2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTP1R6N100D2
Número de parte futuro	FT-IXTP1R6N100D2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTP1R6N100D2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	645pF @ 25V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (max)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP1R6N100D2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTP1R6N100D2-FT

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