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IXYS IXTP01N100D

Número de pieza de MFG
IXTP01N100D
Cantidad disponible
47560 Piezas
Precio de referencia
USD 3.584
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
- MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTP01N100D Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 120pF @ 25V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTP01N100D Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTP01N100D-FT

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