casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH3N150
Número de pieza del fabricante | IXTH3N150 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTH3N150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTH3N150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1375pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH3N150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTH3N150-FT |
IXFR48N50Q
IXYS
IXFR4N100Q
IXYS
IXFR50N50
IXYS
IXFR52N30Q
IXYS
IXFR55N50
IXYS
IXFR64N50P
IXYS
IXFR66N50Q2
IXYS
IXFR70N15
IXYS
IXFR75N10Q
IXYS
IXFR80N10Q
IXYS