casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH16N50D2
Número de pieza del fabricante | IXTH16N50D2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTH16N50D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTH16N50D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 8A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 199nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5250pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 695W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH16N50D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTH16N50D2-FT |
IXFR180N15P
IXYS
IXFR21N100Q
IXYS
IXFR24N100
IXYS
IXFR24N50
IXYS
IXFR24N50Q
IXYS
IXFR24N90Q
IXYS
IXFR25N90
IXYS
IXFR26N50
IXYS
IXFR26N50Q
IXYS
IXFR26N60Q
IXYS
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
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