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IXYS IXTH13N110

Número de pieza de MFG
IXTH13N110
Cantidad disponible
65530 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
MegaMOS™ MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXTH13N110
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie MegaMOS™
IXTH13N110 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5650pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH13N110 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTH13N110-FT

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