casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH12N100Q
Número de pieza del fabricante | IXTH12N100Q |
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Número de parte futuro | FT-IXTH12N100Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTH12N100Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH12N100Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTH12N100Q-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel