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IXTH120P065T Image

IXYS IXTH120P065T

Número de pieza de MFG
IXTH120P065T
Cantidad disponible
15500 Piezas
Precio de referencia
USD 3.924
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
TrenchP™ MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXTH120P065T
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchP™
IXTH120P065T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 65V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
Vgs (Max) ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 298W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH120P065T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTH120P065T-FT

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