casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH110N10L2
Número de pieza del fabricante | IXTH110N10L2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTH110N10L2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Linear L2™ |
IXTH110N10L2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 600W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH110N10L2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTH110N10L2-FT |
IXFR140N20P
IXYS
IXFR140N30P
IXYS
IXFR16N120P
IXYS
IXFR18N90P
IXYS
IXFR200N10P
IXYS
IXFR20N100P
IXYS
IXFR20N120P
IXYS
IXFR20N80P
IXYS
IXFR230N20T
IXYS
IXFR24N100Q3
IXYS
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation