casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTH10N100D2
Número de pieza del fabricante | IXTH10N100D2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTH10N100D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTH10N100D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5320pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 695W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH10N100D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTH10N100D2-FT |
IXFR10N100Q
IXYS
IXFR12N100
IXYS
IXFR12N100Q
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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