casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTF02N450
Número de pieza del fabricante | IXTF02N450 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTF02N450 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTF02N450 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 4500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 Ohm @ 10mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 256pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paquete / Caja | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTF02N450 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTF02N450-FT |
IXFN48N55
IXYS
IXFN50N50
IXYS
IXFN52N90P
IXYS
IXFN64N50PD2
IXYS
IXFN64N50PD3
IXYS
IXFN66N50Q2
IXYS
IXFN72N55Q2
IXYS
IXFN73N30Q
IXYS
IXFN80N48
IXYS
IXFN80N50Q2
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel