casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTA18P10T
Número de pieza del fabricante | IXTA18P10T |
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Número de parte futuro | FT-IXTA18P10T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchP™ |
IXTA18P10T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (IXTA) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA18P10T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTA18P10T-FT |
MIC94052BC6-TR
Microchip Technology
MIC94053BC6-TR
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STSJ60NH3LL
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LSIC1MO170E1000
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LSIC1MO120E0120
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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