casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXT-1-1N100S1-TR
Número de pieza del fabricante | IXT-1-1N100S1-TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXT-1-1N100S1-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXT-1-1N100S1-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXT-1-1N100S1-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXT-1-1N100S1-TR-FT |
RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
RS3E135BNGZETB
Rohm Semiconductor
RSH065N03TB1
Rohm Semiconductor
SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4062DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4103DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4122DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4143DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4156DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel