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IXYS IXFZ140N25T

Número de pieza de MFG
IXFZ140N25T
Cantidad disponible
97260 Piezas
Precio de referencia
USD 16.7688
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fabricante
IXYS
Breve descripción
GigaMOS™ HiPerFET™ MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXFZ140N25T
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™ HiPerFET™
IXFZ140N25T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 19000pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 445W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DE475
Paquete / Caja DE475
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFZ140N25T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFZ140N25T-FT

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