casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFX32N90P
Número de pieza del fabricante | IXFX32N90P |
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Número de parte futuro | FT-IXFX32N90P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFX32N90P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 32A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 960W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX32N90P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFX32N90P-FT |
IXTA110N055P
IXYS
IXTA110N055T
IXYS
IXTA152N085T
IXYS
IXTA15P15T
IXYS
IXTA160N075T
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IXTA180N055T
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IXTA180N085T
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IXTA182N055T
IXYS
IXTA1N80
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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