casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFX160N30T
Número de pieza del fabricante | IXFX160N30T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFX160N30T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFX160N30T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 335nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 28000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1390W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX160N30T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFX160N30T-FT |
IXTA62N15P
IXYS
IXTA70N075T2
IXYS
IXTA75N10P
IXYS
IXTA76N25T
IXYS
IXTA80N12T2
IXYS
IXTA86N20T
IXYS
IXTA90N055T2
IXYS
IXTA90N075T2
IXYS
IXFA26N30X3
IXYS
IXTA44N30T
IXYS
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel