casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFT150N30X3HV
Número de pieza del fabricante | IXFT150N30X3HV |
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Número de parte futuro | FT-IXFT150N30X3HV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFT150N30X3HV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 254nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13.1nF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 890W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268HV |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT150N30X3HV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFT150N30X3HV-FT |
IXFN100N10S2
IXYS
IXFN100N10S3
IXYS
IXFN100N20
IXYS
IXFN100N25
IXYS
IXFN120N25
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IXFN23N100
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
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