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IXYS IXFT150N20T

Número de pieza de MFG
IXFT150N20T
Cantidad disponible
14210 Piezas
Precio de referencia
USD 9.664536
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, TrenchT2™
IXFT150N20T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 150A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 177nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 11700pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / Caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT150N20T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFT150N20T-FT

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