casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFR120N20
Número de pieza del fabricante | IXFR120N20 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFR120N20 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFR120N20 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 105A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 417W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS247™ |
Paquete / Caja | ISOPLUS247™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR120N20 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFR120N20-FT |
IXFX44N60
IXYS
IXFX44N80Q3
IXYS
IXFX48N60P
IXYS
IXFX520N075T2
IXYS
IXFX55N50
IXYS
IXFX78N50P3
IXYS
IXFX80N50P
IXYS
IXFX80N60P3
IXYS
IXFX90N60X
IXYS
IXTX120P20T
IXYS