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IXYS IXFQ60N60X

Número de pieza de MFG
IXFQ60N60X
Cantidad disponible
51740 Piezas
Precio de referencia
USD 7.7408
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFQ60N60X Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5800pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / Caja TO-3P-3, SC-65-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFQ60N60X Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFQ60N60X-FT

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