casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFP5N100P
Número de pieza del fabricante | IXFP5N100P |
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Número de parte futuro | FT-IXFP5N100P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFP5N100P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1830pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP5N100P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFP5N100P-FT |
IXTH50N30
IXYS
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