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IXYS IXFP4N100P

Name: IXFP4N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFP4N100P
Price: 1.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (775 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFP4N100P

Cantidad disponible: 98180 Piezas

Precio de referencia: USD 1.8

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFP4N100P.pdf

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IXFP4N100P Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFP4N100P
Número de parte futuro	FT-IXFP4N100P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarP2™
IXFP4N100P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1456pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP4N100P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFP4N100P-FT

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