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IXYS IXFM67N10

Name: IXFM67N10
Brand: IXYS
SKU: IXFM67N10
Availability: InStock
Rating: 4.7 (370 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFM67N10

Cantidad disponible: 92870 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ POWER MOSFET TO-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFM67N10.pdf

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IXFM67N10 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFM67N10
Número de parte futuro	FT-IXFM67N10
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFM67N10 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	67A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-204AE
Paquete / Caja	TO-204AE
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFM67N10 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFM67N10-FT

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