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IXYS IXFK32N80P

Número de pieza de MFG
IXFK32N80P
Cantidad disponible
70550 Piezas
Precio de referencia
USD 7.6368
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarHT™
IXFK32N80P Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 32A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8800pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja TO-264-3, TO-264AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFK32N80P Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFK32N80P-FT

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