casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK20N120P

| Número de pieza del fabricante | IXFK20N120P |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IXFK20N120P |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
| IXFK20N120P Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11100pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 780W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
| Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFK20N120P Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IXFK20N120P-FT |

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