casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK200N10P
Número de pieza del fabricante | IXFK200N10P |
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Número de parte futuro | FT-IXFK200N10P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFK200N10P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 830W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK200N10P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFK200N10P-FT |
APTM10UM01FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45DAG
Microsemi Corporation
APTC90DAM60T1G
Microsemi Corporation
APTC60SKM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60DAM18CTG
Microsemi Corporation
APT94N60L2C3G
Microsemi Corporation
2N6661
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VN2210N2
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
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A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
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EP4CGX22CF19C6N
Intel