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IXYS-RF IXFH6N100F

Name: IXFH6N100F
Brand: IXYS-RF
SKU: IXFH6N100F
Price: 7.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (389 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFH6N100F

Cantidad disponible: 88720 Piezas

Precio de referencia: USD 7.064

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fabricante: IXYS-RF

Breve descripción: HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFH6N100F.pdf

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IXFH6N100F Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFH6N100F
Número de parte futuro	FT-IXFH6N100F
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerRF™
IXFH6N100F Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1770pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXFH)
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH6N100F Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFH6N100F-FT

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