casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH50N50P3
Número de pieza del fabricante | IXFH50N50P3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFH50N50P3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, Polar3™ |
IXFH50N50P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4335pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 960W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH50N50P3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH50N50P3-FT |
IXTT80N20L
IXYS
IXTT88N15
IXYS
IXTT88N30P
IXYS
IXFH22N60P3
IXYS
IXFH60N50P3
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IXFH16N120P
IXYS
IXFH80N65X2
IXYS
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel