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IXFH12N100F Image

IXYS-RF IXFH12N100F

Número de pieza de MFG
IXFH12N100F
Cantidad disponible
21760 Piezas
Precio de referencia
USD 7.265336
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fabricante
IXYS-RF
Breve descripción
HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerRF™
IXFH12N100F Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2700pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja TO-3P-3 Full Pack
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH12N100F Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFH12N100F-FT

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