casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFE34N100
Número de pieza del fabricante | IXFE34N100 |
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Número de parte futuro | FT-IXFE34N100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFE34N100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 455nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 580W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFE34N100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFE34N100-FT |
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Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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