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IXYS IXFC110N10P

Número de pieza de MFG
IXFC110N10P
Cantidad disponible
79850 Piezas
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, PolarHT™ MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarHT™
IXFC110N10P Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3550pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUS220™
Paquete / Caja ISOPLUS220™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFC110N10P Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFC110N10P-FT

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