casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFC110N10P
Número de pieza del fabricante | IXFC110N10P |
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Número de parte futuro | FT-IXFC110N10P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFC110N10P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS220™ |
Paquete / Caja | ISOPLUS220™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFC110N10P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFC110N10P-FT |
IPU60R3K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPW60R017C7XKSA1
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IPW60R075CPAFKSA1
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IPW65R041CFDFKSA2
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IPW65R080CFDFKSA2
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IPW65R110CFDFKSA2
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IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA2
Infineon Technologies
IPW80R290C3AFKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel