casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IXDR35N60BD1
Número de pieza del fabricante | IXDR35N60BD1 |
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Número de parte futuro | FT-IXDR35N60BD1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXDR35N60BD1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 38A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 48A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 35A |
Potencia - max | 125W |
Energía de conmutación | 1.6mJ (on), 800µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga de la puerta | 140nC |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | - |
Condición de prueba | 300V, 35A, 10 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 40ns |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | ISOPLUS247™ |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS247™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXDR35N60BD1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXDR35N60BD1-FT |
IXGT4N250C
IXYS
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA150-FG144
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-3
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EP4CE6F17I8L
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10AX090H3F34I2SG
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