casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / ISC1812RQR82M
Número de pieza del fabricante | ISC1812RQR82M |
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Número de parte futuro | FT-ISC1812RQR82M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812RQR82M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 271mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 165MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812RQR82M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1812RQR82M-FT |
ISC1812RQ100J
Vishay Dale
ISC1812RQ100K
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Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
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EP3C80F484C8N
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EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation