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Número de pieza del fabricante | ISC1812ES6R8K |
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Número de parte futuro | FT-ISC1812ES6R8K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812ES6R8K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 306mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 750 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 32MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ES6R8K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1812ES6R8K-FT |
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel