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Número de pieza del fabricante | ISC1812ER8R2K |
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Número de parte futuro | FT-ISC1812ER8R2K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812ER8R2K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 292mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 820 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 30MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ER8R2K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1812ER8R2K-FT |
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XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel