casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / ISC1812ER100J
Número de pieza del fabricante | ISC1812ER100J |
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Número de parte futuro | FT-ISC1812ER100J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812ER100J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 279mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 25MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ER100J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1812ER100J-FT |
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Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel