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Número de pieza del fabricante | ISC1812BN180K |
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Número de parte futuro | FT-ISC1812BN180K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812BN180K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 18µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 238mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.24 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 15MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812BN180K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1812BN180K-FT |
ILC0805ER6N8K
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
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XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
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