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Número de pieza del fabricante | ISC1210EB5R6K |
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Número de parte futuro | FT-ISC1210EB5R6K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB5R6K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 5.6µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 210mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 50MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB5R6K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1210EB5R6K-FT |
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AT6010A-2AU
Microchip Technology
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XC3S200A-4FG320I
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XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F484I7
Intel
10CX150YU484E5G
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
XC4VFX40-11FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation