casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / ISC1210EB56NM
Número de pieza del fabricante | ISC1210EB56NM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ISC1210EB56NM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB56NM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 56nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 485mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 1GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 50MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB56NM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1210EB56NM-FT |
ISC1210BN470J
Vishay Dale
ISC1210BN470K
Vishay Dale
ISC1210BN47NM
Vishay Dale
ISC1210BN4R7J
Vishay Dale
ISC1210BN4R7K
Vishay Dale
ISC1210BN560J
Vishay Dale
ISC1210BN560K
Vishay Dale
ISC1210BN56NK
Vishay Dale
ISC1210BN56NM
Vishay Dale
ISC1210BN5R6J
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel