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Número de pieza del fabricante | ISC1210BN6R8K |
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Número de parte futuro | FT-ISC1210BN6R8K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN6R8K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 205mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 40MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN6R8K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1210BN6R8K-FT |
744900039
Wurth Electronics Inc.
744900047
Wurth Electronics Inc.
744900056
Wurth Electronics Inc.
IHSM3825ER102L
Vishay Dale
IHSM3825ER1R0L
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IHSM3825ER121L
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AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
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XC6SLX45-2FGG484C
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LCMXO2-1200ZE-3SG32I
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5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel