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Número de pieza del fabricante | ISC1210BN120J |
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Número de parte futuro | FT-ISC1210BN120J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN120J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 12µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 175mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 24MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN120J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ISC1210BN120J-FT |
74479762122
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74479762133
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M1AFS600-FG484K
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LCMXO2-1200ZE-3SG32I
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XC4010E-1HQ208C
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XC6SLX16-L1CSG225C
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XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
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EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
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