casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS66WVC4M16ALL-7010BLI
Número de pieza del fabricante | IS66WVC4M16ALL-7010BLI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS66WVC4M16ALL-7010BLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS66WVC4M16ALL-7010BLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS66WVC4M16ALL-7010BLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS66WVC4M16ALL-7010BLI-FT |
W989D2DBJX6I TR
Winbond Electronics
W25Q16DVUZIG TR
Winbond Electronics
GD25LQ32DNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16FWUUIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVUUIQ TR
Winbond Electronics
GD25LQ16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16DVUUIG TR
Winbond Electronics
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel