casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61WV51216EEBLL-10T2LI
Número de pieza del fabricante | IS61WV51216EEBLL-10T2LI |
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Número de parte futuro | FT-IS61WV51216EEBLL-10T2LI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61WV51216EEBLL-10T2LI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61WV51216EEBLL-10T2LI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61WV51216EEBLL-10T2LI-FT |
MX29SL800CBXBI-90G
Macronix
MX29SL800CTXBI-90G
Macronix
MX29VS128FBXJI-80G
Macronix
MX66L1G45GXDJ-10G
Macronix
MX66L1G45GXDL-10G
Macronix
MX66L1G55GXCI-10G
Macronix
MX66L1G55GXDI-08G
Macronix
MX66L1G85GXDI-10G
Macronix
MX66L51255FMI-10G
Macronix
MX66L51255FXCI-10G
Macronix
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel