casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61WV51216EEBLL-10BLI
Número de pieza del fabricante | IS61WV51216EEBLL-10BLI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS61WV51216EEBLL-10BLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61WV51216EEBLL-10BLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61WV51216EEBLL-10BLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61WV51216EEBLL-10BLI-FT |
MX29LV400CTXBI-70G
Macronix
MX29LV800CBXBI-70G
Macronix
MX29SL800CBXBI-90G
Macronix
MX29SL800CTXBI-90G
Macronix
MX29VS128FBXJI-80G
Macronix
MX66L1G45GXDJ-10G
Macronix
MX66L1G45GXDL-10G
Macronix
MX66L1G55GXCI-10G
Macronix
MX66L1G55GXDI-08G
Macronix
MX66L1G85GXDI-10G
Macronix
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel