casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61QDB42M18A-333M3LI
Número de pieza del fabricante | IS61QDB42M18A-333M3LI |
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Número de parte futuro | FT-IS61QDB42M18A-333M3LI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61QDB42M18A-333M3LI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QUAD |
Tamaño de la memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 8.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-LFBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61QDB42M18A-333M3LI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61QDB42M18A-333M3LI-FT |
IS61DDB24M18A-300M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB251236A-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB41M18A-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB42M36A-300M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB44M18A-300M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB451236A-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDP2B21M18A-400M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDP2B21M36A-400M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDP2B22M18A-400M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDP2B22M36A-400M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel