casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61NVP51236B-200B3I
Número de pieza del fabricante | IS61NVP51236B-200B3I |
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Número de parte futuro | FT-IS61NVP51236B-200B3I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NVP51236B-200B3I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.375V ~ 2.625V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-TFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NVP51236B-200B3I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61NVP51236B-200B3I-FT |
IDT71V35761SA166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel