casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61NVP51236B-200B3I-TR
Número de pieza del fabricante | IS61NVP51236B-200B3I-TR |
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Número de parte futuro | FT-IS61NVP51236B-200B3I-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NVP51236B-200B3I-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.375V ~ 2.625V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-TFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NVP51236B-200B3I-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61NVP51236B-200B3I-TR-FT |
IDT71V35761SA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel