casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61NVP51236-200B3I
Número de pieza del fabricante | IS61NVP51236-200B3I |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS61NVP51236-200B3I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NVP51236-200B3I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.1ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.375V ~ 2.625V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-TFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NVP51236-200B3I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61NVP51236-200B3I-FT |
IDT71V35761S200BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation