casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61NLP25636A-200B3I
Número de pieza del fabricante | IS61NLP25636A-200B3I |
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Número de parte futuro | FT-IS61NLP25636A-200B3I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636A-200B3I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.1ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-TFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B3I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61NLP25636A-200B3I-FT |
IDT71V35761S183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel